近日，据台湾电子时报报道，存储器模块业者透露，全球存储器巨头三星电子和美光正计划在今年第一季度将DRAM价格上调15%-20%，这一调整将从1月起正式执行。此举旨在催促客户提前规划未来的需求量。目前，已有多家厂商证实收到了三星的涨价预告。

业内人士分析，此次涨价反映了上游原厂对市场趋势的调整。过去，NAND Flash是涨价的主要焦点，但现在，随着市场需求的转变，DRAM成为了上游厂商关注的重点。DDR4和DDR5有望成为下一波调涨的重点，这将有助于改善存储器厂商的运营亏损状况。相比之下，DDR3的产能和需求相对稳定， 亿配芯城 预计其价格涨幅将保持相对平缓。

随着上游原厂酝酿提价，多家存储器模块业者已经开始备货，以应对潜在的市场变化。预计供应给OEM厂商的合约价将在二季度起全面反映DRAM的涨价趋势。

在存储芯片市场中，DRAM和NAND Flash占据主导地位。然而，两者的价格走势存在差异。此前，NAND Flash的价格自2023年下半年开始一路上涨，而DRAM报价的涨幅相对较少。2023年12月，DRAM报价仅微幅调涨2%-3%，明显低于3D TLC NAND约10%的涨幅。

至于DRAM价格的涨幅是否会像NAND Wafer一样强劲攀升，仍需观察后续市场的需求情况。业界将持续关注这一动态，并积极应对市场变化和客户需求，以确保业务运营的稳定性和盈利能力。

审核编辑：黄飞

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