POWER(PI)电源芯片一站式采购平台-POWER(PI)电源芯片一站式采购平台
你的位置:POWER(PI)电源芯片一站式采购平台 > 话题标签 > 存储

存储 相关话题

TOPIC

近日,CES2024以其独特的视角和前瞻性的技术,吸引了全球的目光。作为全球最大的消费电子展,CES一直是各大科技公司展示最新技术和产品的舞台。作为国内知名的半导体存储品牌企业,江波龙在CES期间展示了其最新的存储技术和产品。在本次CES展会期间,江波龙展出了其最新的嵌入式存储、固态硬盘(SSD)、内存条以及存储卡等产品。这些产品采用了先进的制程和存储技术,具备更高的容量、更快的读写速度以及更可靠的数据保护等特点,得到了现场观众和媒体的一致好评。 (图:FORESEE产品全家福) 以ChatG
三星上季营业利益连续第六季下滑,预估将年减35%至2.8兆韩元。 1月9日,三星电子公布2023年第四季度财报指引,数据显示,该公司营业利润已经连续第6个季度下降。尽管芯片价格有所改善,但其芯片、电视和家用电器业务仍持续疲软。三星电子公司将于1月31日发布完整的收益报告,其中包含部门细分。 三星电子报告2023年第四季度营业利润下降35%至2.8万亿韩元(约合21.3亿美元),而分析师平均预期为3.7万亿韩元;营业收入同比下降4.9%至67万亿韩元,而分析师预测为70.31万亿韩元。 这一结果
近日,深圳忆联信息系统有限公司(简称:忆联)的数据中心级固态硬盘 UH711a以及企业级固态硬盘UH811a/UH831a与英特尔VROC 7.8完成兼容认证,测试期间,整体运行稳定,在功能、性能及兼容性方面表现良好。 忆联已在英特尔 VROC 适配列表中 产品简介 英特尔VROC是一款为NVMe固态盘设计的企业级RAID解决方案,能够带来出色的可靠性,同时全面释放NVMe固态盘的卓越性能。这一优势主要得益于英特尔至强可扩展处理器中的一项新特性。该特性名为英特尔卷管理设备(英特尔VMD),是一
1 存储访问一致性问题介绍 当存储系统中引入了cache和写缓冲区(Write Buffer)时,同一地址单元的数据可能在系统中有多个副本,分别保存在cache、Write Buffer及主存中,如果系统采用了独立的数据cache和指令cache,同一地址单元的数据还可能在数据cache和指令cache中 有不同的版本 。 位于不同物理位置的同一地址单元的数据可能会不同 ,使得数据读操作可能得到的不是系统中“最新的数值”,这样就带来了存储系统中数据的一致性问题。 (1)cache(介于CPU和D
记者从国家企业信用信息公示系统获悉,国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)于11月14日正式投资国产存储芯片公司深圳市江波龙电子股份有限公司(简称“江波龙电子”)。 股东及出资信息显示,大基金认缴江波龙电子出资金额428.57万元,实缴428.57万元,认缴出资日期为11月14日。华芯投资的投资二部总经理刘洋成为江波龙电子的董事,华芯投资是大基金的基金管理公司。同期,传音控股旗下的深圳市展想信息技术有限公司认缴出资额21.43万元,苏州上凯创业投资合伙企业(有限合伙)认缴出资额142.56
(电子发烧友网 文/黄晶晶)过去的一年,存储市场跌宕起伏,从低潮逐渐回暖,新兴应用市场对存储的拉动丝毫不减,服务器、汽车存储马力十足,带动存储新技术例如高速接口、HBM等快速发展。这一年在半导体投资低迷的形势下存储行业仍然出现不错的投融资行为,旷日持久的知识产权纠纷案也终见分晓。让我们一起回顾充满挑战的2023年,并迎接2024年的新机遇。 知识产权 首先跳出来的重大事件非美光和晋华达到全球和解莫属。2023年12月26日美光科技表示已经与福建晋华达成全球和解协议,两家公司将在全球范围内各自撤
近日,权威调研机构IDC公布《中国企业级外部存储市场跟踪报告,2023Q3》。报告显示,2023年第三季度,中国企业级存储(ESS)市场规模达17.1亿美元,同比下降2.8%。其中,浪潮信息存储销售额同比增长10.9%,市场份额达11.5%,位居中国前二,特别是全闪存市场销售额同比增长26.6%,3倍于市场平均增速,领跑市场。 中国企业级存储市场即将触底反弹 报告显示,受宏观经济形势影响,各国企业均降低了在IT领域的投资,2023年Q3全球企业级外部存储市场规模为75.2亿美元,同比下降8.5
据悉,存储芯片价格今年下半年以来持续拉涨,供应链指出,过去2个月内闪存价格上涨约六至七成;DRAM涨幅较为缓和,约两成多。目前观察终端需求并没有明显增加,近期仅有手机品牌拉货需求提升,但手机能否持续支撑涨价,预计2024年一季度将是观察重点。 行业资深人士透露,多项DRAM、NAND Flash产品价格两年多以来首次上涨。在DRAM产品中,11月份指标性产品DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.65美元左右,环比上涨11%,为2021年6月以来首度呈现上涨;在NAND Flash产品
全球存储巨头持续缩减产能,加之人工智能与高性能计算的普及,智能手机市场的库存补充等综合原因,使存储器价格持续攀升。 据集邦咨询报告显示,多方消息表明,三星与美光两家企业计划于2024年首个季度内,DRAM价格提高幅度达15%-20%。 鉴于人工智能和高性能计算领域的广泛应用,智能手机及个人电脑市场回暖,市场普遍预期明年DRAM供应紧缺。 业界人士透露,当前已进入第一季度的合约价格商谈环节,存储器厂商有望于1月对DRAM价格进行调整,呼吁客户提前布局,应对未来需求。 据报道,近期三星宣布自明年第
近日,据台湾电子时报报道,存储器模块业者透露,全球存储器巨头三星电子和美光正计划在今年第一季度将DRAM价格上调15%-20%,这一调整将从1月起正式执行。此举旨在催促客户提前规划未来的需求量。目前,已有多家厂商证实收到了三星的涨价预告。 业内人士分析,此次涨价反映了上游原厂对市场趋势的调整。过去,NAND Flash是涨价的主要焦点,但现在,随着市场需求的转变,DRAM成为了上游厂商关注的重点。DDR4和DDR5有望成为下一波调涨的重点,这将有助于改善存储器厂商的运营亏损状况。相比之下,DD