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对数据存储和处理(汽车应用)的需求越来越大。多年来,人们一直在寻找一种结合了DRAM和NAND闪存优点的通用存储器,这种存储器成本低、性能可靠、用途广泛,有可能取代它们,满足带宽不断增长的需求并降低功耗。在查看内存层次结构时(图1.3.6),并不缺少新的内存、材料和体系结构,这些新内存、材料和体系结构正在考虑取代内存层次结构中的各个层次。虽然相变存储器(PCRAM或PCM)、电阻存储器(RRAM)、铁电场效应晶体管(FeFETs)和各种磁性存储器(MRAM)是过去几年研发的热点,但目前SRAM
年后,硬盘与内存等存储产品的价格大幅上涨,而近日曝出的一则消息则更是让这种情况雪上加霜!2月19日,有消息称,韩国新增的新冠肺炎确诊病例中,有2例竟是存储大厂SK海力士的员工!据传海力士当天就封锁了员工的教育培训场所,并对800名员工进行了居家隔离。虽然海力士在当天就关闭了公司的培训中心,并宣称此次应急隔离并不会影响工厂的正常运营,但仍有不少相关企业和消费者都对此表示担忧。 而据业内人士表示,这两名确诊病例是海力士大学刚培训完准备进入产线的员工,可能还没有进入产线的工厂之中。但海力士出于安全卫
在服务器、数据中心等驱动下,对DDR5产品的需求增加。两大CPU厂商Intel和AMD都在积极推动DDR5在服务器和数据中心领域的渗透。与此同时,各大存储厂商也在不遗余力地推出相关产品。在CPU和存储厂商的共同帮助下,DDR5的热度不断提升。 近日,AMD发布了代号为“Genoa”的第四代EPYC处理器CPU。多达 18 个 SKU,每通道多达 96 个内核和 192 个线程,支持 PCIe 5.0、CXL 1.1、DDR5 和许多其他先进技术。 今年8月,AMD推出了锐龙7000系列处理器,
据1月29日消息,据业内人士透露,国内知名半导体厂商长江存储从1月份开始大规模裁员。而由于福利房的价格上涨,部分员工可能面临高额的住房差价补偿。 据知乎平台上来自该公司老员工的消息,他们于1月16日接到裁员通知,要求在春节假期后上班第一天起一个月内完成交接并离职。同时,他还被要求支付所购住房价款的差额与职工福利费。估计他要支付几十万到几百万的违约金。 据悉,长江存储有福利房,与员工买房并签订有约束力的协议,要求他们在公司工作满5年,否则将根据公寓面积补偿原市场调查价格(超过1.4万/套)与员工
5月2日有媒体报道称,韩国存储芯片制造商SK海力士将推迟建设并考虑出售其大连新晶圆厂。然而,SK海力士上周四在回应南华早报的询问时表示,大连工厂的建设将按计划完成,出售该设施的传闻未经证实。 此外,SK海力士最近发布的财报显示,公司一季度营收5.088万亿韩元,远不及去年同期的12.156万亿韩元,同比下滑58%;也不及上一季度的7.67万亿韩元,环比下滑34%。 需要指出的是,在过去的几年中,SK海力士一直在加大对中国市场的投资力度。其中,2021年12月,SK海力士以90亿美元的价格收购了
5月16日消息,由于三星电子和SK 海力士等全球存储芯片厂商,近几个季度的业绩表现不佳,这主要是由于去年下半年开始的全球消费电子产品需求下滑所导致的存储芯片需求下滑所致。尽管人工智能等领域带来了新的需求,但整体的需求状况仍不容乐观。由于芯片供应商的库存依旧处在高位,存储芯片价格在短期内仍将处于芯片供应商和客户之间的拉锯战之中。虽然整体状况仍不容乐观,但部分供应商已经预计二季度业绩将会好转。SK 海力士在一季度财报中指出,他们预计随着销量的逐渐增加,营收在二季度将会反弹。 三星电子和SK 海力士
6月24日消息,美国存储芯片公司美光科技 (MICRON) 宣布,将在印度 Gujarat 邦投资 8.25 亿美元兴建新的芯片封装和测试工厂,这是美光在印度的第一家工厂。 美光表示,该工厂的总投资将达到 27.5 亿美元,其中 50% 的资金将来自印度中央政府,20% 的资金来自 Gujarat 邦。在印度中央政府和 Gujarat 邦的支持下,该工厂预计将于 2023 年开始建设,第一阶段将于 2024 年底投入运转。第二阶段预计将在 2025 年后启动。 据媒体报道,印度内阁在总理莫迪周
8月22日消息,据路透社报道,美光科技公司已向美国商务部提交了资金申请,希望获得联邦资金和投资税收抵免,以支持其在爱达荷州博伊西和纽约州克莱市建造存储芯片制造工厂的计划。该公司表示,《芯片法案》计划投资500亿美元来促进美国制造业的发展,这将为美光科技等公司在美国建立制造工厂提供了重要的支持。然而,在最近公布的2023财年第三季度财报中,美光科技取得了37.5亿美元的营收,但净亏损达19亿美元。这表明,尽管美光科技在扩大制造业务方面取得了一定的进展,但在芯片制造领域,该公司仍面临着一些挑战和困
11月13日消息,近日,中国存储芯片巨头长江存储近日向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼,要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项3D NAND技术专利,并赔偿损失和诉讼费用。长江存储指控美光在未经授权的情况下使用其专利技术,侵犯了其利益,遏制了其创新动力。 据IT之家了解,存储芯片主要分为DRAM(动态随机存储)和NAND(闪存)两类。DRAM属于易失性存储器,即一旦断电存储资料立刻流失,一般被用作内存辅助CPU进行计算;而NAND用于存储资料,用于制造固态硬盘。 长江存储在起诉书